11月28日，外媒消息，日本名古屋大學的研究人員研究了一種方法，可在保持LED效率的同時使LED變得更亮。這項研究有望降低LED生產成本和對環境的影響，同時提升其在可見光通信和虛擬現實(VR)眼鏡等應用中的性能。相關研究成果以“How to Make Semi-Polar InGaN Light Emitting Diodes with High Internal Quantum Efficiency: The Importance of the Internal Field ”文章發表在《激光與光子學評論》 (Laser & Photonics Review )期刊上。

　　圖片來源：Optics.org

　　據悉，銦鎵氮化物LED被認為是最高效的光源之一，但它們通常僅在低功率水平下運行。為了獲得更高亮度的光，需要增加其功率。然而，向LED增加更多功率會導致其效率下降，這種現象被稱為效率下滑。

　　一種克服效率下滑的方法是增加LED的面積，從而提高光輸出，但這也需要使用更大的芯片。然而隨著芯片尺寸變大，晶圓能夠生產的LED數量將減少，從而導致更高的生產成本和更大的環境影響。

　　對此，研究人員通過傾斜InGaN層并以不同的方向切割晶圓的方法，改變所得晶體的極化特性，從而減少了LED效率下滑。研究人員在一種廉價的藍寶石基底上制造了(101?3)方向的LED，這些LED在更高功率下擁有更好的效率表現。

　　這一發現為制造商開發下一代LED技術提供了創新方法，例如開發更高效、更明亮的Micro LED顯示屏，適用于移動設備和大屏幕電視中;開發更高電流密度的LED，應用于汽車和特種工業照明應用;開發更快開關速度的LED，應用在可見光通信技術和VR眼鏡中。

　　研究人員表示，未來的研究很可能無法找到比這更好的切割方向，特別是在藍寶石基底上。