1. 為什么巨量轉移的檢測是關鍵步驟？

　　巨量轉移檢測是確保屏體質量的關鍵步驟，旨在識別并精確定位制程中的壞點，然后將這些坐標輸出給修復工藝，以提高屏體的點亮良率和畫質。目前，檢測方式主要包括外觀檢測、光學檢測和電學檢測，分別在Wafer端、制程端和屏體端進行，以實現對過程不良的精準檢測。此外，為了應對Micro-LED芯片光學均一性不足的問題，辰顯光電采用了混bin技術，通過光學和電學檢測對Micro-LED來料進行精確分類，從而提升顯示效果。

　　2. 目前行業在巨量轉移檢測中面臨哪些主要挑戰？

　　隨著Micro-LED芯片的微縮化，傳統檢測方案和設備難以滿足需求。首先，電學檢測面臨的挑戰在于每個顯示器需檢測的LED數量達到數十萬乃至上千萬顆，受限于Micro-LED 芯片一般小于50μm，現有檢測效率還處在1～2秒的階段，還無法滿足 LED全檢要求。其次，檢測精度要求極高，Micro-LED制程中對于精度的要求一般在2μm以內，高PPI產品甚至需要1μm以內的精度。這對于 Micro-LED 芯片從晶圓到中間臨時基板再到背板的各個環節的精度檢測提出了極高要求，必須結合智能算法和高精度數據采集硬件才能達成。

　　3. 辰顯光電如何構建高效的巨量轉移檢測流程？

　　辰顯光電在巨量轉移工藝中布置了多個檢測站點，以提高一次轉移良率和精準修復能力。首先，Micro-LED Wafer來料時會進行外觀(AOI)、光學(PL)和電學(EL)檢測，確保 Micro-LED 的來料良率和光電信息，集中修復不良點位。在轉移制程中，通過AOI檢測確定制程中的不良因素，如缺失、偏位等，進行及時修復。最后，針對鍵合后的屏體進行CT檢測，檢查屏體光學品質，包括亮暗點、異常顯示、亮度和波長一致性等，并將檢測出的壞點坐標輸出給下一站點修復。最終通過層層檢測和修復，辰顯光電能夠生產出高畫質、零暗點的屏體。

　　4. 辰顯光電采用了哪些國內首臺設備或技術進行檢測？

　　辰顯光電十分重視與國內設備廠商密切合作，在Micro-LED產業化初期即引入了多項國內先進技術和設備，特別是在檢測方面，涵蓋了AOI、PL、CT等關鍵檢測環節，確保檢測流程的高效性和準確性。由于Micro-LED是新興技術，隨著對技術和工藝要求的不斷提升，辰顯光電與設備廠商共同推進設備與技術的迭代，合作開發出了多個國內首臺套設備，進一步推動了Micro-LED產業化進程。