《2019 Micro LED次世代顯示器關鍵報告》指出，Micro LED 技術不只亮度與對比效果超越 OLED，也同時具備反應迅速、低功耗與高可靠度特性，為移動與汽車應用帶來新的可能。

　　然而，由于生產制程復雜，Micro LED顯示屏幕的良率始終難以提升，且生產成本也仍高居不下，減緩了商業化的腳步。而其中一個挑戰，便是Micro LED 芯片的質量。如果Micro LED芯片的質量夠好，便能提升整體良率，也降低后續分選及檢測修復階段所需的時間成本。

　　Micro LED是微小化的 LED 芯片，因此對于磊晶晶圓在波長一致性與低瑕疵率的要求非常高。為達成Micro LED的需求，MOCVD 技術供應商便成為Micro LED晶圓階段的重要角色。

　　MOCVD技術設備廠商與芯片廠合力發展 Micro LED 芯片

　　MOCVD 技術供應商AIXTRON與Veeco持續提升自家技術，以符合Micro LED技術的需求。AIXTRON表示，他們能夠在6英寸晶圓片上，將瑕疵率降到每平方公分低于0.15。而在波長一致性方面，與傳統LED所需的8-10 nm要求相比，Veeco的技術可以達成3-5nm的一致性。

　　這兩家設備廠商也分別與LED芯片廠商密切合作，結合芯片廠商的技術，共同提升 Micro LED 芯片的效率與質量，加速生產放量。Veeco與德國Micro LED技術廠商ALLOS合作，已可穩定產出200 nm 氮化鎵硅晶圓磊芯片。Veeco也與法國的Aledia合力研發應用于顯示器的3D Micro LED。

　　此外，AIXTRON也分別提供MOCVD設備給中國臺灣錼創及英國廠商Plessey生產 Micro LED芯片。AIXTRON在今年一月宣布與錼創簽訂Micro LED的生產合作協議。而錼創則提供Micro LED芯片給三星與天馬的Micro LED顯示器。

　　AIXTRON的MOCVD設備

　　Plessey則采用AIXTRON的MOCVD技術生產用于Micro LED的氮化鎵硅晶，也在今年的Display Week上展出應用于 AR設備的 Micro LED 顯示器。