小間距LED的進化極限是什么?也許這個問題的答案就要出來了。近日，臺灣媒體報道，可能被三星電子收購的臺灣初創公司Play Nitride，預計將在2017年下半年安裝micro LED產品試產生產線。而micro LED的像素間距渴望比肩目前的手機液晶顯示屏。

　　對此，筆者覺得“這是一個好事情”。因為LED的電光效率真的非液晶、OLED、QLED能比。如果原生RGB micro LED能夠實現大規模量產，對于全球環境保護、氣候變化是一個非常好的消息——功利子孫千秋萬代(雖然剛剛退出巴黎氣候協定的特朗普可能認為這是一個陰謀和騙局)。

　　但是，micro LED真的能夠實現嗎?在這一點上，筆者必須說：“micro LED”和目前市場上熱銷的“小間距LED屏”雖然只是間距上的差別，但是“量變導致質變”，micro LED的實現難度和實現方法與“小間距LED”截然不同。

　　例如，上文中提到的Play Nitride公司的項目，其基板就是TFT——和液晶顯示、OLED顯示一樣的半導體技術，而非小間距LED顯示產品所使用的“印刷銅電路板”。從發光晶體的封裝看，小間距LED主要是表貼方式的，也有部分高端產品采用COB技術，而micro LED必然是“晶圓級”的封裝工藝。

　　僅僅是以上兩個差異，就已經決定了micro LED與小間距LED屏“產業鏈”上，特別是在中下游，關系真的不大。甚至主要市場方向都不相同：小間距LED屏主要是工程大屏顯示;micro LED現在的目標是智能手表、手機屏幕等小屏顯示，未來有望逐漸進入電視機顯示等領域。

　　到了這里，讀者基本已經明白micro LED是一個如何“嶄新”的科技。對此，大屏君需要格外指出，micro LED的獨特之處，大屏君還沒有說呢?micro LED技術真正的難點、真金白銀的部分是一個叫做“巨量微轉移”(也叫巨量轉移)的工程技術。這個才是，micro LED與傳統LED屏最大的差別。

　　什么是“巨量微轉移”(巨量轉移)呢?即，在一英寸驅動板上至少實現300PPI以上像素密度，數十萬顆三原色LED晶體的安裝(一個5英寸的手機屏，需要300萬以上的像素點)。與傳統小間距LED屏幕比較，即對角線一英寸的300PPI 的micro LED顯示屏，像素顆粒數量和60英寸P1.0間距的小間距LED屏幕相當。

　　“巨量微轉移”(巨量轉移)中的“巨量”就是指“亞像素顆粒數非常高”，動輒幾十萬、甚至幾百萬(例如500PPI的手機屏幕需要800萬個像素);“微”的含義則是“亞像素顆粒非常小、安裝精度非常高、像素間距更小”;“轉移”的含義則是“這些亞像素被單獨制造出來”，然后通過一些工程技術再“焊接到驅動板的適當部位”。

　　對于“巨量微轉移”(巨量轉移)的這個“微小”的概念，大屏君必須特別說明：以 55 英寸 4K 液晶電視為例，其像素尺寸為 200 μm x 200 μm;這類電視機的LED背光源一般采用 3030 封裝規格，即 3,000 μm x 3,000 μm——LED燈珠和液晶像素面積相差 225 倍。而在 Micro LED 顯示產品下，LED 微縮至 50 μm x 50 μm像素尺寸，甚至更小;三星規劃中的1500-2000PPI的VR用OLED顯示屏，像素尺寸更是只有不到5μm x5μm——比55英寸4K電視機像素尺寸相差1600倍。

　　經過這樣詳細的解釋，讀者應當已經知道“巨量微轉移”(巨量轉移)是一項多么困難的事情——這個技術對應的是一堆百萬級別的數字。此前業界在micro LED技術上的工程實驗，僅僅是驗證了彩色 RGB Micro LED，20μm間距分辨率 100 x 100，在大拇指指甲蓋大小的面積上的“工程集成可行”性。這距離制造出1-2英寸，智能手表所需要的全彩高分辨率顯示屏距離還很遠。而且，作為商業化的工程技術，“巨量微轉移”不僅僅是要能實現，而且還需要保持很高的“成品率”、一定的經濟性。

　　說到“巨量微轉移”(巨量轉移)的難度，實現已經不容易：但是筆者認為，真正的難度還在于“實用”上，即經濟性。

　　事實上，micro LED技術有兩個主要的市場方向：一個是電視機領域，制造一個60英寸的2K分辨率的電視機，可以讓LED晶體的大小、間距指標都“不用那么吝嗇”。類似的技術，索尼在2012年即有過展示。同時因為沒有那么“微小”，這種產品的成品率也容易把控。但是，和液晶顯示技術比較，這類產品不具有“成本優勢”，且面對液晶向4K和8K過渡的趨勢，其后續增加像素密度后，工程難度和成本會顯著提高。

　　micro LED技術的另一個市場方向則是“小屏幕”。例如VR和智能手表。但是，這類產品并沒有因為尺寸變小，而分辨率降低。如，VR產品上，三星已經在開發PPI達到1500以上的產品。或者說應用于“小屏幕”的micro LED面臨的是“數量依然巨大，間距則更為精細”的工藝實現難題。這將不利于成品率的提升。成品率水平則顯著影響產品的市場價格。

　　從Play Nitride預計的采用TFT基板的信息看，小尺寸micro LED前端工程和驅動部分工藝與液晶、OLED沒有顯著差異。這是好消息，可以幫助控制micro LED的最終成本，但是這不意味著后者可以低成本上市。

　　對此，筆者有一個很好的例子來舉證：OLED手機屏為啥比液晶屏幕貴呢?二者前端工藝都是TFT，很相似。高端液晶和OLED甚至都是低溫多晶硅TFT或者金屬氧化物TFT，基本是“完全一樣”。但是，OLED后端的蒸渡工藝，成品率、穩定性、設備采購和維護成本、原材料損耗，都要超過液晶的“成盒——灌注”為主的工藝過程。這導致OLED暫時成本上依然無法比擬液晶屏幕。micro LED做為后來者，“巨量微轉移”技術高度不成熟、難度巨大，成品率控制難度更是超過成熟度很高的蒸渡工藝，其成本上的劣勢將更為明顯。

　　綜上所述，筆者對micro LED試產生產線要說三句話：第一，TFT你用的是現成技術，這沒問題;第二，LED晶體你用的也是現成技術，這也沒問題;但是，第三，“巨量微轉移”，可是把巨大的數量、及其微小的空間距離這對矛盾集中到了一個工程點上，難度可想而知，后期市場化成本壓力不容小窺。

　　對此，筆者的結論是micro LED還處于工程探索階段，距離商用還有萬丈距離。但是，作為LED顯示技術的延伸，micro LED的任何技術探索和工程工藝研究都會對整個LED顯示產業有幫助。也許micro LED的部分研究結果會更早的在小間距LED屏等產品上實現商用，為多姿多彩的LED顯示板塊添磚加瓦。